29일 중국 A주 주요 지수가 일제히 상승 마감한 가운데, 전 거래일 큰 폭의 조정을 받았던 메모리 반도체 섹터가 반등에 성공했다.
관련 데이터에 따르면 메모리 반도체 섹터에는 하루 동안 19.3억 위안의 주력 자금이 순유입됐다.
앞서 28일 상하이종합지수와 선전성분지수가 각각 1.67%, 3.44% 하락하며 메모리 반도체 지수도 5.01% 급락했으나, 29일에는 0.52% 반등했다.
해당 섹터의 하루 거래 대금은 1,823.9억 위안을 기록했다.
| 구분 | 9월 28일 변동률 | 9월 29일 변동률 / 거래액 |
|---|---|---|
| 상하이종합지수 | -1.67% | – |
| 선전성분지수 | -3.44% | – |
| 메모리 반도체 지수 | -5.01% | 0.52% |
| 메모리 반도체 거래 대금 | – | 1,823.9억 위안 |
| 메모리 반도체 주력 자금 순유입 | – | 19.3억 위안 |
증권가에서는 AI 서버 및 고용량 메모리 수요 확대와 더불어 고부가가치 제품으로의 생산력 집중, 신규 설비 증설 주기 장기화 등으로 메모리 반도체 가격과 공급업체의 협상력이 계속 강화될 것으로 전망하고 있다.
JP모건은 2026년부터 2028년까지 HBM 비트 수요의 연평균 성장률(CAGR)이 63%에 달할 것이며, 해당 기간 공급 부족 상태가 이어질 것으로 예측했다.
궈타이하이퉁증권은 메모리 반도체의 가격 상승세가 2027년까지 이어질 것으로 예상했고, 싱예증권은 2026년, 2027년, 2028년 DRAM의 공급 부족률을 추정했다.
| 연도 | 싱예증권 추정 DRAM 공급 부족률 |
|---|---|
| 2026년 | -4.38% |
| 2027년 | -2.98% |
| 2028년 | -1.48% |
중신증권은 4분기 및 2027년 전자 산업의 투자 핵심 축으로 독자적 기술 확보와 AI 연산력을 제시하며 모듈, 패키징 및 테스트, 설비, 재료 등 공급망의 수혜를 전망했다.