창신메모리(688825.SH) 돌파구 마련, 글로벌 메모리 시장 충격

창신메모리(CXMT)(688825.SH)가 신기술 돌파구를 마련했다는 소식이 전해지면서 글로벌 메모리 반도체 섹터 전반에 하락 압력을 가했다.

13일 아시아 증시에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 주가가 큰 폭으로 하락했으며, 이어 뉴욕 증시에서도 메모리 반도체 관련 종목들의 급락세가 이어졌다.

시장에서는 창신메모리의 신기술 발표가 이번 글로벌 반도체주 투매세를 자극했다고 분석했다.

앞서 창신메모리 사장은 10월 9일부터 10일까지 상하이에서 열린 제4회 집적 칩 및 칩렛 대회에 참석해 DRAM 소자, 4F² 아키텍처, 하이브리드 본딩 등 차세대 기술의 성과를 발표했다.

창신메모리 측은 제한된 공간에 더 많은 데이터를 저장해 메모리 밀도를 크게 높일 수 있는 4F² 아키텍처 개발에 성공했다고 밝혔다.

회사는 해당 선진 기술을 결합한 차세대 DDR5 RDIMM 서버용 메모리 제품을 연말에 정식 선보일 예정이다.

4F² 아키텍처는 글로벌 메모리 선도 기업인 SK하이닉스 등도 로드맵을 수립하고 개발을 추진 중인 차세대 기술이다.

시장 분석가들은 창신메모리가 최첨단 메모리 분야에서 글로벌 선두 기업과 기술 격차가 여전히 존재하지만, 상용화 시점이나 양산 수율 안정화 여부에 따라 선발 주자들의 경쟁 우위에 영향을 미칠 수 있다고 평가했다.

업계 전문가는 창신메모리가 4F² 아키텍처를 적용한 DRAM 생산에 먼저 성공할 경우 경쟁력이 크게 강화될 것이라고 내다봤다.

다만 양산 수율 확보까지는 일정 시간이 소요될 것으로 예상했다.

다수 전문가들은 고대역폭메모리(HBM) 분야에서 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 과점 체제에 단기적 위협이 되지는 않겠지만, 차세대 기술 분야에서 글로벌 리더들을 바짝 추격하고 있음을 보여준 사례라고 분석했다.

차세대 메모리 기술 개발 현황 비교

https://withtoc.com

제휴 콘텐츠 문의 02-6205-6687