창신메모리(688825.SH) DRAM 기술 성과 발표

창신메모리(688825.SH)가 차세대 4F2 DRAM 아키텍처 연구개발에서 핵심적인 진전을 보이며 연내 제품 출시를 예고했다.

이와 더불어 글로벌 메모리 반도체 시장은 마이크론과 삼성전자의 역대급 실적 호조에 힘입어 슈퍼사이클을 이어갈 전망이다.

10일 상하이에서 열린 제4회 집적 칩 및 칩렛 대회에서 창신메모리는 회사의 D램 소자, 4F2 아키텍처, 하이브리드 본딩 등 기술 성과를 발표했다.

특히 자체 개발한 채널을 수직으로 둘러싸는 구조인 VSG 트랜지스터를 적용한 4F2 아키텍처가 누설 전류와 단채널 효과를 억제하고 칩 면적을 크게 축소했다고 밝혔다.

창신메모리는 연내 해당 기술이 적용된 차세대 DDR5 RDIMM 제품을 선보일 예정이다.

앞서 창신메모리는 지난 8월 최신 저전력 메모리 LPDDR6 양산 및 최초 상용화를 달성했으며, 9월에는 제5세대 DRAM(G5) 플랫폼 양산에 돌입해 메모리 소자 반간격을 11.95나노미터로 줄였다.

글로벌 D램 시장 규모 및 서버용 수요 전망

구분2025년2030년(E)연평균 성장률(CAGR) / 비고
글로벌 D램 시장 규모1,505억 달러5,710억 달러30.56%
서버용 D램 수요 비중약 50%71%–

시장조사기관 옴디아는 글로벌 D램 시장 규모가 2025년 1,505억 달러에서 2030년 5,710억 달러로 연평균 약 30.56% 성장할 것으로 내다봤다.

같은 기간 서버용 D램 수요 비중은 약 50%에서 71%로 확대되며 성장을 견인할 전망이다.

증권업계는 AI 서버 수요 급증과 공급 제약 속에서 가격 상승세가 전통적인 주기보다 강하게 지속될 것으로 보고 관련 산업의 슈퍼사이클을 전망했다.

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