창신메모리(688825.SH)가 기술 연구개발(R&D)과 후공정 테스트 기반 확충을 위해 대규모 투자를 단행한다.
28일 저녁 공시를 통해 창신메모리는 공모자금 초과모금액 중 130억 위안을 신규 기술 R&D 프로젝트에 투입한다고 밝혔다.
동시에 자회사인 창신메모리제품(허페이)유한공사에 초과모금액 50억 위안을 증자 및 대여 방식으로 지원해 ‘메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기 프로젝트’를 건설할 계획이다.
| 프로젝트 구분 | 총 투자 규모 | 초과모금액 투입액 | 주요 목적 및 내용 |
|---|---|---|---|
| 신규 기술 R&D 프로젝트 | 241억 위안 | 130억 위안 | 차세대 기술 연구개발 (건설 기간 30개월) |
| 후공정 테스트 기지 2기 | 108억 위안 | 50억 위안 | DRAM 반도체 테스트 및 모듈 조립 공장 건설 |
이번 기술 R&D 프로젝트의 총 투자 규모는 241억 위안이며 건설 기간은 30개월이다.
후공정 테스트 기지 2기 프로젝트의 총 투자 규모는 108억 위안으로, DRAM 반도체의 테스트 및 모듈 조립을 담당하는 테스트 공장 건설을 목표로 한다.
창신메모리 측은 핵심 경쟁력 확보를 위해 지속적인 R&D 투자가 필수적이라고 강조했다.
회사 관계자는 자체 테스트 역량을 확충해 외부 외주업체 의존도를 낮추고, 공급망 안정성과 운영 효율성을 더욱 끌어올릴 것이라고 설명했다.
또한 이를 통해 종합반도체기업(IDM) 구조를 더욱 완비할 방침이다.
한편 창신메모리는 기술 혁신을 통해 1세대부터 5세대 공정 기술 플랫폼의 양산을 완료했으며, DDR4 및 LPDDR4X에서 DDR5, LPDDR5/5X, LPDDR6에 이르는 제품 라인업을 구축했다.
특히 올해 9월 양산을 발표한 5세대 공정 기술 플랫폼은 메모리 어레이 활성 영역의 하프피치를 11.95나노미터까지 축소해 글로벌 최상위권 수준에 도달했다.