중국 반도체 기업 기가바이스가 자회사 증자를 통해 DRAM 사업 추진에 박차를 가할 전망이다.
기가바이스는 7월 21일 이사회를 열고 A주 공모 자금 5억 위안을 완전 자회사인 주하이헝친신춘반도체에 증자하는 안건을 의결했다고 공시했다.
이번 증자는 기존 DRAM 관련 공모 자금 투자의 일환으로, 사업 방향이나 내용의 실질적 변경 없이 추진된다.
앞서 기가바이스는 2024년 11월 주주총회를 통해 DRAM 칩 연구개발 및 산업화 프로젝트의 총투자금을 기존 39.92억 위안에서 35.7억 위안으로 축소했다.
절감된 7.06억 위안은 자동차용 전자 칩 프로젝트에 배정했다.
시장 수요와 기술 변화에 맞춰 개발 대상도 기존 DDR3, DDR4, LPDDR3, LPDDR4에서 LPDDR3를 제외하고 LPDDR5를 추가했다.
노후화되는 LPDDR3 대신 2029~2030년 소용량 시장 진입이 예상되는 LPDDR5에 집중한다는 전략이다.
해외 주요 업체의 철수로 니치형(특정 용도용) DRAM 시장 공급 부족이 이어지면서 계약 가격은 약 1년간 상승세를 지속하고 있다.
기가바이스의 올해 1분기 니치형 DRAM 매출은 전분기 대비 강한 증가세를 기록했으며, 전체 매출 비중도 약 3분의 1 수준으로 확대됐다.
기가디바이스는 2026년 가격 상승세가 지속되고 2027년 이후 고점 박스권을 형성할 것으로 전망했다.
DRAM 프로젝트 투자금 조정 현황
| 구분 | 조정 전 | 조정 후 | 변동액 |
| 프로젝트 총투자금 | 39.92억 위안 | 35.70억 위안 | -4.22억 위안 |
| 자동차용 전자 칩 배정금 | – | 7.06억 위안 | 7.06억 위안 |
| 주하이헝친신춘반도체 증자액 | – | 5.00억 위안 | 5.00억 위안 |
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